比利時檢察當局表示，拘留一名擁有中國及比利時雙重國籍男子，涉嫌在半導體技術從事間諜活動。疑犯定居比利時，今年5月準備搭機前往北京前被捕。
檢方指，52歲疑犯曾在比利時一間晶片製造商擔任高層職位，公司專門生產氮化鎵半導體，但已於前年破產。被捕男子任職公司期間，同時在一間生產同類晶片的中國企業擔任董事，這間中國公司在他加入比利時公司後數月，由中國投資基金出資成立，懷疑他將生產氮化鎵的專門知識產權及商業機密，非法轉移到國外，案中有第二名疑犯但在逃。