外電引述3名知情人士指，中國晶片製造商「長鑫存儲」準備進軍快閃記憶體市場，被視為在全球晶片短缺下，擴大客戶群，並與國內競爭對手「長江存儲」競爭。
快閃記憶體市場一直由南韓三星電子及其他外國生產商主導。而「長鑫存儲」就主力研發及生產隨機存取記憶體(DRAM)。報道指，「長鑫存儲」計劃在北京的新廠房建立一條NAND快閃記憶體的研發生產綫，並在北京設立研究院，項目包括NAND開發。公司亦已同客戶討論其他快閃記憶體計劃，包括新成立一間初創公司，採購長鑫生產的NAND晶片，用於人工智能系統及超級電腦。報道指目前未知研發生產線何時開始運作，以及是否從研發及試產階段，轉為大規模商業化生產。