AI服務器需求爆發帶動高端存儲芯片供不應求，南韓2大記憶晶片生產商三星電子和SK海力士，正加速強化在中國的閃存記憶體(NAND)生產布局，計劃明年前陸續完成新一輪設備投資，將中國產線定位為高端NAND量產的重要支柱。

報道引述業內消息指，三星電子已具體訂出西安工廠第9代NAND(V9)轉換投資計劃，並確定追加補充投資方案。西安工廠採用280層堆疊架構的V9 NAND，屬當前最先進產品，上半年已啟動產線轉換，目標月產能達4萬至5萬片晶圓。為鞏固穩定量產能力，三星計劃年底前落實刻蝕工藝等關鍵設備採購訂單，相關補充投資將於明年下半年啟動。刻蝕工藝是NAND製造核心環節，需在晶圓上蝕刻出極深的通道，技術精度要求極高。

SK海力士就由今年第3季度起，在大連第二工廠推進NAND產品升級所需的設備投資，目標月產能約3萬片晶圓，相關投資將持續推進至明年。