中國晶片製造商、長鑫存儲在世界製造業大會上宣布，第五代DRAM技術平台（G5平台）實現量產，同時展出基於這個平台打造的大容量LPDDR5X新品。

據介紹，G5平台在關鍵工藝維度實現多項行業領先的技術突破。依托創新的四重曝光技術把內存陣列的有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球最頂尖的內存量產平台製程。通過變革工藝流程、採用新材料，存儲電容深寬比達45:1。開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6762納米。

G5微縮工藝的突破，推動存儲密度實現跨越式提升：每片晶圓產出裸片數量較第四代平台提升至少50%（均換算為8Gb顆粒基準統計），在產品能效、成本控制上均具備顯著優勢。

今次大會，長鑫存儲同步展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升5成，可適配中高端智能手機、便攜式消費電子等不同場景需求，目前均已進入量產階段。

過去，手機高端LPDDR高速內存市場一直被海外巨頭把控，長鑫存儲打入旗艦手機供應鏈，是國產存儲晶片在消費電子高端市場的一次關鍵突圍。