中國存儲晶片廠商長鑫存儲宣布，下一代存儲技術取得關鍵突破，隔夜美股晶片板塊應聲下挫，費城半導體指數跌2.7%，創3星期低位，美光跌破1000美元關口，收跌約4%；閃迪跌近6%。。在亞洲，韓日股市都受拖累，首爾綜合指數跌5.5%，SK海力士跌10%，三星電子跌逾7%；日本鎧俠股價跌12.6%，日經指數跌1.8%。

長鑫存儲總裁曹堪宇博士周末在行業活動表示，公司在下一代存儲單元架構取得關鍵進展，計劃2026年底前推出基於相關架構的DDR5服務器內存產品。意味比三星、SK海力士更早一步達到相關里程碑。

不過，有分析師指，公布技術架構與大規模量產爬坡是兩回事，而且AI浪潮驅動的內存短缺仍持續，長鑫對標的是普通DDR5而非稀缺的高端高帶寬內存(HBM)；以閃迪為例，主營NAND業務，以DRAM消息拋售閃迪股票缺乏邏輯。

美國科技富豪馬斯克在社交平台X帖文，指中國的規模化能力是系統性優勢，當中國弄清楚如何製造一種產品時，其規模化能力往往超過世界其他地區的總和，鋰電池及太陽能就是例子。至於內存晶片，馬斯克認為中國似乎正快速攻克通用標準規格，但更新一代HBM架構及3D堆疊RAM的散熱問題，將是更難攻克的技術挑戰。