路透社報道指，南韓存儲芯片巨頭三星電子及SK海力士，正推進在中國工廠的技術升級，目標直指更先進製程的芯片。其中，三星力爭實現286層NAND閃存芯片的量產能力，SK海力士亦在推進類似方向的升級部署，兩家南韓存儲芯片巨頭均加大投入中國境內的生產設施，推動技術規格向更高層級迭代。

報道引述知情人士指，286層層數代表當前NAND存儲技術的前沿水平，若在中國工廠落地，將標誌着三星在華產能顯著的技術躍升。三星在中國設有重要存儲芯片生產基地，升級順利推進的話，工廠將不再局限於成熟制程，轉向更具競爭力的先進產品線。

SK海力士方面，知情人士透露升級方向與三星相近，旨在提升中國工廠的芯片技術規格。公司在中國無錫設有DRAM芯片工廠，並持有原英特爾大連NAND工廠的部分資產。

與此同時，中國本土存儲芯片製造商長江存儲亦持續取得技術進展，技術追趕步伐未因外部壓力而明顯放緩。路透社指，長江存儲的進展，將進一步加劇全球NAND市場的競爭。